Электротехника Компьютерный монтаж Основы Flash Corel DRAW Учебник по схемотехнике Законы Кирхгофа P-CAD Autodesk Mechanical Desktop ТОЭ Атомная физика OrCAD Теория множеств Оптическая физика Дифференциалы Интегралы Магнитные свойства Зонная теория Квантовая статистика Квантовая физика Магнитное поле Электростатика Геометрическая оптика Основы теории относительности Волновая функция Контрольная по математике

Зонная теория твердых тел Курс лекций

Температурная зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике. С ростом температуры уровень Ферми приближается к той зоне, которая имеет меньшую плотность состояний и поэтому заполняется быстрее.

 или 


На рисунке график ln ni от обратной температуры представляет прямую линию: 

Зависимостью ln1/T по сравнению с линейным членом можно пренебречь. Угол наклона прямой определяется шириной запретной зоны:  откуда   tg s измеряется по графику (ln ni, 1/T)

Оценим собственную концентрацию носителей заряда в германии и кремнии  равны 0,299 и 0,719, и при Т»3000К,

 и 

Концентрация носителей заряда при Т ® 0 обращается в нуль, и сопротивление собственного полупроводника должно расти до бесконечности. Однако, в реальных полупроводниках всегда остается примесь, которая обеспечивает проводимость при любых температурах.

 

 

Тепловая генерация на рисунке носителей заряда в полупроводнике с донорной примесью.

Низкие температуры: электроны проводимости определяются концентрацией примеси, которая возникает за счет ионизации донорной примеси.

 

Элементы термодинамики Обратимые и необратимые процессы. Круговой процесс. Цикл Карно и его КПД для идеального газа. Принцип работы холодильных установок. Тепловые насосы и кондиционеры. Описание реальных
систем. Реальные газы. Пределы применимости законов идеального газа. Силы и потенциальная энергия межмолекулярного взаимодействия. Уравнение Ван-дер-Ваальса.
Опытные законы диффузии, теплопроводности и внутреннего трения. Связь между коэффициентами переноса.

Математика решение задач